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无坩埚区熔法生长的无位错硅单晶中微缺陷形成的特征

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无坩埚区熔法生长的无位错硅单晶中微缺陷形成的特征Э．С．法勒克维奇И．Ф．切沃勒（乌克兰国立扎波罗热大学）无位错硅单晶晶体结构的完美程度，即它们体内的宏观和微观缺陷的存在，乃是目前评定硅单晶质量的主要参数之一。结构缺陷的特征、浓度及分布限定了硅单晶的...

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来源
《半导体杂志》 |1997年第3期|35-38|共4页
作者
法.ЭС; 切.ИХ;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN304.12;
关键词
硅单晶; 无位钳; 无坩埚区熔法; 微缺陷;

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