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直拉硅单晶位错与微缺陷的产生原理及其检测方法

         
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摘要

详细介绍了直拉单晶位错和微缺陷的产生原理,以及位错与微缺陷的一种检测方法.

著录项

  • 来源
    《物理通报》 |2013年第2期|121-123|共3页
  • 作者

    李孟; 刘俊飞;

  • 作者单位

    英利绿色能源控股有限公司 河北保定 071000;

    英利绿色能源控股有限公司 河北保定 071000;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

    单晶; 缺陷; 位错; 腐蚀;

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