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生长晶向偏离对直拉<111>无位错硅单晶外形的影响

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摘要

运用邻位面台阶化概念,推导出直拉<111>无位错硅单晶横截面周界方程。阐述了无位错硅单晶的“鼓苞”机理,理论值与实验符合良好。

著录项

来源
《科技通报》 |1989年第2期|8-11|共4页
作者
陈立登; 赵松宏; 张民杰;
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作者单位

浙江大学材料系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体生长工艺;
关键词
无位错硅单晶; 周界方程; 晶体生长;

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