A mathematical model of primary grown-in microdefects formation is proposed. The model is built on the basis of the dissociative process of diffusion. Here, we study the interaction patterns between oxygen-vacancy (O + V) and carbon-interstitial (C + I) near the crystallization front in dislocation-free silicon monocrystals grown by float-zone and Czochralski methods. As shown here, the approximate analysis formulas obtained tally with the heterogeneous mechanism of grown-in microdefects formation.PACS Nos.: 61.72Bb, 61.72.Jj, 61.72.YxNous proposons un modèle mathématique pour la formation des microdéfauts internes primaires. Le modèle se base sur le processus dissociatif de la diffusion. Nous étudions ici les patrons d'interaction entre une lacune d'oxygène (O + V) et le carbone interstitiel (C + I) près du front de cristalisation dans un monocristal de Si sans dislocation croissant par méthodes de flottaison ou de Czochralski. Comme nous le montrons ici, les formules approximatives d'analyse obtenues agréent avec le mécanisme hétérogène de formation des microdéfauts internes.[Traduit par la Rédaction]
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