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SIPOS—Si异质结二极管

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文章主要研究n'p、p'n和p'p三种SIPOS(半绝缘多晶硅)-Si异质结二极管的I-V特性,并算出了相应的理想因子和势垒高度。在同样掺杂条件下,异质结具有比同质结二极管更高的注入比、更高的反向击穿电压和低漏电流。

著录项

来源
《微电子学与计算机》 |1992年第4期|4-6|共3页
作者
王云珍; 黄碧琳; 张军;
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作者单位

华东师范大学电子系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体二极管;
关键词
二极管; 异质结; 半绝缘多晶硅;

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