首页> 中文期刊>人工晶体学报 >半导体所在Si衬底上生长Ga基半导体纳米线研究中取得进展

半导体所在Si衬底上生长Ga基半导体纳米线研究中取得进展

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Si是现代CMOS工艺不可或缺的材料,而Ⅲ-Ⅴ族半导体广泛应用于光电子、超高速微电子和超高频微波等器件中。长期以来,科学家们试图在Si衬底上外延高质量Ⅲ-Ⅴ族半导体。但由于晶格不匹配会导致生长的Ⅲ-Ⅴ族半导体质量较差。当材料降低到纳米尺度,由于应力可以得到有效释放,上述困难得以缓解。

著录项

来源
《人工晶体学报》|2016年第6期|1457-1457|共1页
作者

展开▼
作者单位

中国科学院半导体研究所;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.21;
关键词
Ⅲ-Ⅴ族半导体; Si衬底; Ga; 外延生长; 高频微波; 异质结; 表面氧化; 生长温度范围; 赵建华; 晶体生长;
入库时间 2022-08-20 16:15:43

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 中科院半导体研究所在（Ga，Mn）As纳米线研究方面取得进展 [J] . . 新材料产业 . 2013,第005期
2. 半导体所在(Ga，Mn)As纳米线研究方面取得了新进展 [J] . . 人工晶体学报 . 2013,第4期
3. 半导体所在二维GaS超薄半导体的基础研究中取得新进展 [J] . 无 . 现代材料动态 . 2014,第006期
4. 苏州纳米所在硅衬底InGaN基半导体激光器研究方面取得进展 [J] . . 现代科学仪器 . 2016,第4期
5. 苏州纳米所在硅衬底InGaN基半导体激光器方面取得重要进展 [J] . . 半导体信息 . 2016,第004期
6. Si衬底上GaN半导体材料生长 [C] . 钟玖平 ,谢鸿波 ,高文生 . 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 . 2003
7. 硅衬底ZnO半导体材料生长及GaN/Si白光LED老化研究 [A] . 方芳 . 2006

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号