氧分压对磁控溅射BST薄膜及其介电性能的影响

唐逸; 杨春生; 张丛春

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氧分压对磁控溅射BST薄膜及其介电性能的影响

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为了应用平板式射频磁控溅射设备制备出良好介电性能的钛酸锶钡(BST)纳米薄膜,研究了溅射过程中不同氧分压(pO2)对沉积薄膜的化学成分、结晶性、表面形貌、电学性能的影响.实验结果表明:纯氩无氧气氛沉积的BST纳米薄膜化学成分符合化学计量比,经750℃、30 min氧气保护热处理后,呈现出BST材料固有的钙钛矿相,有较高的介电常数(rε=700)和较低的漏电流密度(1.9μA/cm2);氧氩混合气氛沉积的BST纳米薄膜,由于氧负离子反溅射作用,使薄膜的化学成分偏离化学计量比,经相同热处理后,不能形成相应的晶体结构,导致薄膜的rε下降、漏电流密度提高,介电性能变坏;pO2的变化对沉积薄膜的化学成分影响不大.

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来源
《上海交通大学学报》 |2006年第1期|108-111|共4页
作者
唐逸; 杨春生; 张丛春;
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作者单位

上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
钛酸锶钡; 射频磁控溅射; 氧分压; X射线衍射; 介电性能;

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