超晶格Al_xGa_（1－x）As／GaAs中相对键强度的研究

宫宝安; 万亚; 李岱青; 任廷琦

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超晶格Al_xGa_（1－x）As／GaAs中相对键强度的研究

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用半经验的ＣＮＤＯ／２量子化学计算方法，对一组模拟超晶格ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ的原子簇体系作了第一性原理的电子结构研究。结果表明，化学键Ａｌ—Ａｓ和Ｇａ—Ａｓ的强度，在ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ环境中的结果均高于它们在纯晶体ＡｌＡｓ和ＧａＡｓ环境中的数值；随着ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ中Ｘ值的增大，Ｇａ－Ａｓ键强度相应地提高，但平均键强度计算结果，Ｇａ－Ａｓ总低于同环境中的Ａｌ－Ａｓ。本文结果同ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ红外光谱键强度分析等实验事实相吻合，而且为离子注入ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ中引起的晶格损伤分布行为提供了合理的解释。

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来源
《鲁东大学学报（自然科学版）》 |1994年第1期|46-50|共5页
作者
宫宝安; 万亚; 李岱青; 任廷琦;
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作者单位

烟台师范学院化学系;

烟台师范学院物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化学键的种类;
关键词
超晶格; 化学键强度; 量子化学;

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