PI衬底n-i-p结构非晶硅薄膜太阳能电池的制备

李旺; 刘石勇; 刘路; 王仕鹏; 黄海燕; 牛新伟; 陆川

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利用传统硅薄膜太阳能电池生产设备、以硬质玻璃为载板,在低透光率的聚酰亚胺(PI)衬底上制备了n-i-p结构的单结非晶硅(a-Si)薄膜太阳能电池组件,并通过掩膜绝缘和激光划分绝缘组合的方式在同一块PI衬底上实现了多节电池串联一体的结构。封装后电池组件的有效发电面积的转化效率达到5.13%,电池的转化效率还存在较大的提升空间。

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来源
《人工晶体学报》 |2015年第9期|2350-2353|共5页
作者
李旺; 刘石勇; 刘路; 王仕鹏; 黄海燕; 牛新伟; 陆川;
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作者单位

浙江正泰太阳能科技有限公司;

浙江大学硅材料国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类太阳能电池;
关键词
聚酰亚胺; n-i-p结构; 激光划分绝缘; 掩盖分割; 非晶硅薄膜; 太阳能电池;

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