GaN HFET的大信号射频工作模型

薛舫时

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分析了GaN HFET大信号工作特性随器件漏压、栅压、栅长和工作频率变化的实验特征,发现器件的射频输出功率和功率附加效率随频率升高、漏压增大和栅长缩短而下降的规律及在3mm波段短栅长的高截止频率场效应管没有输出功率的现象。从场效应管电极边界条件出发导出了势垒层的解析表面势及其微商,研究了表面势随漏压、栅压和栅长的变化。通过自洽能带计算求出了不同漏压、栅压和栅长下的能带和电子状态。研究了GaN HFET射频工作中产生的能带畸变。从不同漏压、栅压和栅长变化下的能带畸变出发,提出了沟道电子状态随栅压、漏压和栅长变化的GaN HFET大信号射频工作模型。用此大信号模型解释了实验中观察到的高频、大功率器件特性及3mm瓶颈。提出了研发大功率GaN HFET的新见解。

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来源
《固体电子学研究与进展》 |2014年第5期|403-408|共7页
作者
薛舫时;
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作者单位

南京电子器件研究所;

微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
大信号工作特性; 3mm氮化镓异质结场效应晶体管瓶颈; 解析表面势及其微商; 能带畸变; 射频大信号工作模型;

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