半导体超晶格子带间跃迁光吸收理论研究

李文兵; 赵国忠; 王福合; 周云松

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从理论上研究了半导体超晶格子带间跃迁的光吸收性质,以GaAs/AlxGa1-xAs超晶格为例进行数值计算,分析了该材料的吸收系数随入射光光子能量、光场强度和超晶格结构参量(阱宽,垒宽,势垒高)的变化关系·计算表明:随着入射光光子能量的变化,出现非对称的吸收峰;光强只改变吸收系数大小;超晶格结构参量会改变吸收谱的谱宽和吸收峰所对应的入射光频率·随着超晶格阱宽(垒宽)的增大,吸收谱由宽变窄,吸收峰红移;随着超晶格Al组分变大,吸收谱变窄·

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来源
《光子学报》 |2006年第1期|61-64|共4页
作者
李文兵; 赵国忠; 王福合; 周云松;
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作者单位

首都师范大学物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类非线性光学（强光与物质的作用）;
关键词
非线性光学; 子带间吸收; Kronig—Penney模型; 超晶格;

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