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半绝缘砷化镓中的低频振荡及其对FET噪声性能的影响

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摘要

在无光照条件下测量背栅时,部分半绝缘砷化镓材料呈现明显低频振荡。对振荡特性进行了初步研究,并观察了振荡对GaAsMESFET噪声性能的影响。实验结果表明了采用不同低频振荡特性的材料制备器件时，其噪声性能也有差别。

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来源
《功能材料与器件学报》 |2000年第3期|197-200|共4页
作者
张绵; 王云生; 李岚; 白锡巍;
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作者单位

信息产业部电子十三所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
半绝缘GaAs; 低频振荡; FET; 噪声性能;

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