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半绝缘砷化镓中碳含量对热稳定性的影响

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本文报导了LEC法半绝缘砷化镓单晶中含碳量对SI-GaAs热稳定性的影响。在800℃以上退火,发现当晶体中C含量大于1.5×10^(16)cm^(-3)时,SI-GaAs的热稳定性变差;而C含量小于5×10^(15)cm^(-3)时,通常表现出良好的热稳定性。

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来源
《固体电子学研究与进展》 |1992年第1期|34-37|共4页
作者
谢自力; 陈宏毅; 朱顺才; 夏德谦;
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作者单位

南京电子器件研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
热转换; 热处理; 砷化镓; 碳含量;

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