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第一章文献综述
§1-1 GaAs材料的结构、特点及应用
1-1-1 GaAs材料的结构
1-1-2 GaAs材料的特性
1-1-3 GaAs材料的应用领域和市场前景
1-1-4 SI-GaAs材料特性
§1-2 GaAs单晶生长工艺
1-2-1 GaAs单晶生长
1-2-2 SI-GaAs单晶生长
§1-3 GaAs晶体中的缺陷
1-3-1 GaAs晶体中点缺陷
1-3-2 GaAs晶体中位错
§1.4 SI-GaAs晶体中的缺陷
1-4-1 SI-GaAs中主要剩余电活性杂质
1-4-2 SI-GaAs中主要点缺陷
1-4-3 SI-GaAs单晶中位错及分布
1-4-4 SI-GaAs单晶中胞状结构的本质和形成机理
§1.5研究非掺LEC法拉制的SI-GaAs单晶中碳微区分布的重要意义
§1.6本论文研究重点和实验方法的确定
第二章SI-GaAs中主要点缺陷As沉淀、EL2和C受主缺陷
§2.1 As沉淀及其对EL2的影响
§2.2 EL2施主中心
2-2-1 EL2深施主缺陷及其构成模型
2-2-2 EL2的浓度及其分布
§2.3碳受主缺陷
2-3-1碳杂质的引入
2-3-2碳杂质的萃取
2-3-3影响单晶中碳浓度的因素
2-3-4 GaAs单晶中碳的分布
2-3-5 C对LEC SI-GaAs材料特性的影响
§2.4LEC SI-GaAs中电学补偿机理分析
第三章SI-GaAs中位错的显示腐蚀方法
§3-1AB腐蚀
3-1-1腐蚀法的原理
3-1-2电化学腐蚀条件及腐蚀液各成分的作用
§3-2腐蚀过程
3-2-1样品准备
3-2-2AB腐蚀液配制
3-2-3腐蚀工艺
§3.3腐蚀结果及分析
第四章透射电镜能谱分析研究SI-GaAs中碳的微区分布
§4-1透射电镜能谱分析原理及样品制备
4-1-1透射电镜能谱分析原理
4-1-2透射电镜样品制备
4-1-3位错成像衬度分析
§4.2透射电镜能谱分析研究SI-GaAs单晶中碳的微区分布
4-2-1实验
4-2-2实验结果
4-2-3讨论与小结
第五章EPMA分析SI-GaAs中C受主的微区分布
§5.1电子探针X射线微区分析仪原理
5-1-1电子探针基本原理
5-1-2 X射线波谱仪原理
§5.2 EPMA分析非掺LEC SI-GaAs中碳的微区分布
5-2-1样品及实验
5-2-2实验结果
5-2-3结果分析及讨论
5-2-4小结
第六章结论
参考文献
致谢
攻读硕士学位期间所发表的学术论文
