亚45nm技术节点平面式硅基CMOS电路制作的材料选择

陈长春; 刘江锋; 余本海; 涂有超; 戴启润

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亚45nm技术节点平面式硅基CMOS电路制作的材料选择

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随着45 nm技术的临近,减小单个晶体管尺寸以提高晶体管集成度的方法逐渐达到物理极限。传统掺杂多晶硅/二氧化硅栅结构因硼杂质扩散穿透、多晶硅耗尽和电子隧穿等效应使深亚微米器件的性能退化。此外,沟道载流子迁移率退化也阻碍Si基MOS性能的提升。因此,需采用高k介质、金属栅和应变硅等新材料、新技术以改善Si基MOS管性能。本文在介绍这3种新材料优势的同时,分析了适合未来平面式硅基CMOS技术中的高介电常数材料和金属栅材料的种类,指出了未来电路中新材料的进一步发展方向。

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来源
《稀有金属》 |2007年第1期|112-118|共7页
作者
陈长春; 刘江锋; 余本海; 涂有超; 戴启润;
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作者单位

河南省信阳师范学院物理与电子工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类自动控制、自动控制系统;
关键词
高介电常数材料; 应变硅; 金属栅极;

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