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ICP刻蚀技术在MEMS器件制作中的应用

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摘要

简单介绍了ICP刻蚀系统和刻蚀原理。通过实验分析了ICP刻蚀SiO2和Cr时,刻蚀速率随相关工艺参数变化而变化的几点规律。同时给出了用ICP刻蚀出的MEMS传感器Si基腔的表面形貌图和Cr电阻的显微镜照片。

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来源
《微纳电子技术》 |2005年第10期|473-476|共4页
作者
李伟东; 张建辉; 吴学忠; 李圣怡;
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作者单位

国防科技大学机电工程与自动化学院;

国防科技大学航天与材料工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类机械制造工艺;
关键词
微机电系统; 感应耦合等离子体刻蚀; 刻蚀速率;

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