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低温漂CMOS基准电压源的设计与试制

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本文介绍一种采用５μｍ硅栅ＣＭＯＳ工艺制造的的集成基准电压源，在－２０℃到１００℃范围内其输出电压稳定性可达５０ｐｐｍ／℃。它的基本工作原理是建立在对双极晶体管ＶＢＥ的负温度系数以正温度系数来补偿，从而获得温度稳定的基准电压。

著录项

来源
《微电子学与计算机》 |1994年第6期|11-14|共4页
作者
弓小武; 刘玉书;
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作者单位

西安交通大学微电子研究所;

航天部771所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN432.02;
关键词
集成电路; CMOS; 基准电压源; 设计;

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