过渡层结构和生长工艺条件对S i基G aN的影响

冯玉春; 胡加辉; 张建宝; 王文欣; 朱军山; 杨建文; 郭宝平

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过渡层结构和生长工艺条件对S i基G aN的影响

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为了提高MOCVD外延硅基GaN材料的质量,在硅(111)衬底上以HT-A lN为缓冲层,在缓冲层上再生长变组份过渡层后外延生长GaN。过渡层为多层复合结构,分为高温变组分A lGaN、GaN、低温A lN、高温变组分A lGaN。在高温生长A lGaN和GaN层中插入一层低温生长A lN以缓解降温过程中应力对厚GaN层的影响,为了缓慢释放热应力、采用合适的慢降温工艺。当外延层的厚度小于1.7微米时GaN外延层无龟裂,而厚度不断增加时,GaN外延层产生龟裂。本文研究了A lN缓冲层生长温度、高温变组分A lGaN生长过程中生长时间的变化对所生长GaN材料的影响。采用三维视频显微镜、高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)对样品进行了测试分析。测试结果表明所研制的硅基GaN表面光亮、平整,过渡层的引入有利于降低外延层中应力,提高GaN结晶质量。

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来源
《人工晶体学报》 |2005年第5期|907-910|共5页
作者
冯玉春; 胡加辉; 张建宝; 王文欣; 朱军山; 杨建文; 郭宝平;
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作者单位

深圳大学光电子学研究所广东省光电子器件与系统重点实验室光电子器件与系统教育部重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
Si(111); CaN; AlN; AlGaN;

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