GaN基外延结构中EBL层生长工艺对发光效率的影响

机译：惰性氮分子，氮自由基原子，氮自由基分子和氮分子离子之间的相互影响对通过分子生长在Si（001）和Si（111）衬底上生长的GaN异质外延层的生长过程和晶体结构的影响

机译：低温沉积的分解屏蔽层对金属有机气相外延生长在（001）GaAs上生长的立方GaN外延层的结构和光致发光特性的关键作用

机译：金属有机汽相外延生长的Gan基Uv肖特基型发光二极管Gan层中的激子吸收

机译：缩写GaN Metalorganic气相外延生长模式在纳米图案中提高IngaN基发光二极管效率

机译：GaN基发光二极管上的光学功能结构，用于提高光提取效率和控制发射模式。

机译：GaN外延层中Er光学中心的光致发光量子效率

机译：在蚀刻的GaN纳米棒阵列上通过金属有机气相外延生长的GaN / InGaN / GaN核-壳结构的刻面恢复和发光

机译：激发波长依赖和时间分辨光致发光研究铕掺杂GaN生长的中断生长外延（IGE）。

机译：外延生长衬底，GaN基半导体层的制造方法，GaN基半导体层，发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件

机译：外延生长用基板，GaN基半导体膜的制造方法，GaN基半导体膜，GaN基半导体发光元件和GaN基半导体发光元件的制造方法

机译：用于制造GaN基外延层的单晶衬底，制造该外延层的方法，包括该GaN基外延层的LED和LD