异质外延GaN中穿透位错对材料发光效率的影响

高志远; 郝跃; 李培咸; 张进城

首页> 中文期刊> 《半导体学报》 >异质外延GaN中穿透位错对材料发光效率的影响

异质外延GaN中穿透位错对材料发光效率的影响

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

用阴极射线致发光(CL)法、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)法研究了异质外延GaN材料的发光性质与结构特性的关系.结果表明,GaN外延层中的穿透位错是材料有效的非辐射复合中心,但GaN的CL带边峰强度并不随位错密度的增加而减少.两步法生长GaN形成的马赛克结构的亚晶粒尺寸和晶粒间合并产生的位错的弯曲程度是影响材料发光效率的关键.

著录项

来源
《半导体学报》 |2008年第3期|521-525|共5页
作者
高志远; 郝跃; 李培咸; 张进城;
展开▼
作者单位

西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O772;
关键词
GaN; 穿透位错; 非辐射复合; 发光效率;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. GaN基外延结构中EBL层生长工艺对发光效率的影响 [J] . 孟锡俊 ,李建婷 ,刘大为 . 电子测试 . 2019,第012期
2. 异质薄膜外延生长中温度对失配位错出现厚度的影响 [J] . 张凤林 ,肖亮 ,许卫兵 . 原子与分子物理学报 . 2014,第005期
3. 圆锥形图形化蓝宝石衬底对MOCVD生长GaN外延膜的位错密度和应力应变影响 [J] . 王焕友 ,李亚兰 ,谢光奇 . 中国科学 . 2013,第011期
4. 湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度 [J] . 曹明霞 ,于广辉 ,王新中 . 半导体技术 . 2009,第12期
5. 氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算 [J] . 刘战辉 ,修向前 ,张荣 . 半导体技术 . 2008,第S1期
6. 不同厚度的低温AlN插入层对GaN上生长的AlxGa1-xN外延薄膜中的位错和应力的影响 [C] . Shang Lin ,尚林 ,Zhai Guangmei . 第十一次全国热处理大会 . 2015
7. GaN材料位错按深度分布的表征及位错与点缺陷关系的研究 [A] . 周勇波 . 2012

异质外延GaN中穿透位错对材料发光效率的影响

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅