加磁场对GZO薄膜结构及光电性能的影响

张有为; 周细应; 周涛; 聂志云; 答建成; 杨涛

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加磁场对GZO薄膜结构及光电性能的影响

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采用射频磁控溅射法在玻璃基底上制备了Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜,在传统磁控溅射系统中引入外加磁场,探究了磁场强度变化对GZO薄膜晶体结构和光电性能的影响。结果表明:所制得的GZO薄膜结构均为六角纤锌结构且在[002]方向沿C轴择优取向;外加磁场强度对薄膜的光电性能具有较大影响,在可见光范围内,薄膜的平均透光率超过93%,并出现了Moss-Burstein效应;薄膜的电学性能得到提升,其电阻率从4.96×10^(-3)Ω·cm降至3.17×10^(-4)Ω·cm,霍尔迁移率从7.36 cm^2·V^(-1)·S^(-1)增至9.53 cm^2·V^(-1)·S^(-1)。

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来源
《人工晶体学报》 |2016年第1期|53-57|共5页
作者
张有为; 周细应; 周涛; 聂志云; 答建成; 杨涛;
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作者单位

上海工程技术大学材料工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TB383.2;
关键词
外加磁场; 磁控溅射; GZO薄膜; 晶体结构; 光电性能;

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