基于原子层沉积的氧化锆薄膜工艺优化研究

张禹; 韦习成; 张浩

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基于原子层沉积的氧化锆薄膜工艺优化研究

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利用原子层沉积技术(Atomic layer deposition,ALD)进行ZrO_2薄膜工艺研究,获得了低温下ZrO_2薄膜ALD的最佳工艺条件。分析了在低温下前驱体脉冲时间,吹扫时间生长工艺条件对薄膜性能的影响。以四(二甲基氨)基锆(TDMAZ)和H_2O为前驱体,制备了均匀性良好,表面粗糙度低,可见光透过率高,水汽阻挡效果良好的ZrO_2薄膜。

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来源
《人工晶体学报》 |2017年第4期|594-598|共5页
作者
张禹; 韦习成; 张浩;
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作者单位

上海大学材料科学与工程学院;

福建江夏学院电子信息科学学院;

有机光电子福建省高校工程研究中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类功能材料;
关键词
原子层沉积; Zr; O2薄膜; 工艺优化;

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