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原子层沉积系统在氮化铝AlN薄膜工艺中的应用

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摘要

介绍了原子层沉积系统(ALD)的原理、结构,以及它和不同薄膜生长设备相比所具有的特点.分析了影响ALD设备工艺性能的主要因素.在此基础上,采用等离子增强型ALD技术在硅片上制备AlN薄膜,并测试分析了薄膜的成分和表面平整度,满足工艺要求.

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来源
《电子工业专用设备》 |2016年第1期|19-23|共5页
作者
李新霞;
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作者单位

中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051;

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正文语种 chi
中图分类薄膜混合集成电路（薄膜电路）;
关键词
原子层沉积; 前驱体; 电流崩塌;

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