SiO_2和TiO_2缓冲层对柔性ITO薄膜弯曲特性的影响

喻志农; 夏樊; 李玉琼; 薛唯; 赵志伟

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SiO_2和TiO_2缓冲层对柔性ITO薄膜弯曲特性的影响

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讨论了柔性ITO薄膜在弯曲时导电能力失效的机理及影响因素.考察了SiO2和TiO2作为无机缓冲层的加入对于柔性ITO薄膜弯曲特性的影响.实验结果及分析表明,材料间的失配系数,结合力以及薄膜缺陷是影响ITO薄膜弯曲特性的主要因素.SiO2或TiO2无机缓冲层的加入降低了ITO薄膜抗内弯折临界半径;TiO2缓冲层能够明显增加ITO薄膜的耐弯折次数.

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来源
《北京理工大学学报》 |2009年第8期|699-703|共5页
作者
喻志农; 夏樊; 李玉琼; 薛唯; 赵志伟;
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作者单位

北京理工大学光电学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的性质;
关键词
柔性ITO; 缓冲层; 弯曲特性;

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