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用模型参数优化法改进带隙基准的温度

         

摘要

以GP模型理论和工艺数据为基础,提出了模型中关键温度参数XTB和XTI的优化方法.以典型的带隙基准电路为例,经Hspice仿真分析表明,在-55~125℃范围内带隙基准的温度特性得到较好的改善.

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