CVD法制备高质量ZnO纳米线及生长机理

唐斌; 邓宏; 税正伟; 陈金菊; 韦敏

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以金做催化剂,采用化学气相沉积(CVD)方法在Si(100)衬底上生长了整齐紧密排列的ZnO纳米线。XRD图谱上只有ZnO的(002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿[001]择优生长;扫描电子显微镜分析表明:ZnO纳米线整齐排列在Si(100)衬底上,直径在100nm左右,平均长度为4μm。研究发现ZnO纳米线的生长机理与传统的V-L-S机理有所不同:生长过程中,在Si(100)衬底上先生长了大约500nm厚的ZnO薄膜,而ZnO纳米线生长在薄膜之上。

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来源
《人工晶体学报》 |2007年第2期|293-296|共4页
作者
唐斌; 邓宏; 税正伟; 陈金菊; 韦敏;
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作者单位

电子科技大学微电子与固体电子学院;

西南石油大学理学院;

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正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
ZnO纳米线; ZnO薄膜; CVD; V-L-S机理;

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