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硅低温双极晶体管的优化设计与制备──Ⅱ结构与电特性分析

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本文在前文器件掺杂分布优化设计的基础上，实现了结构设计和工艺选择，采用多晶硅发射极技术，研制成功了７７Ｋ下高增益（Ｈ＿（ＦＥ）可达２５０）硅双极晶体管；采用多晶硅发射区和基区重掺杂技术，获得了可与ＣＭＯＳ结构兼容，基区电阻较小的硅低温双极晶体管。

著录项

来源
《微电子学》 |1995年第2期|30-35|共7页
作者
郑茳; 肖志雄; 吴金; 魏同立;
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作者单位

东南大学微电子中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN322.802;
关键词
低温器件; 双极晶体管; 多晶硅发射极; 硅器件;

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