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马飞; 贵向泉; 李立;
无锡工艺职业技术学院机电与信息工程学院;
宜兴214206;
兰州理工大学计算机与通信学院;
兰州730050;
晶体管; 电流放大倍数; 高低温变化率; 仿真;
机译:质子辐照对碳化硅高电子迁移率晶体管基射频功率功率放大器的无缓冲氮化镓
机译:硅平面功率晶体管的电流增益和击穿特性的改善
机译:作者对有关在频率范围为7-50 kc / s的结型晶体管噪声的测量的讨论作出了答复。锗扩散结光电电池晶体管功率放大器晶体管直流转换器????????硅微波二极管中的噪声
机译:低于32nm双栅极CMOS的SRAM电压和电流检测放大器对工艺变化和晶体管失配不敏感
机译:用于无线通信的硅MOS场效应晶体管RF /微波非线性模型研究和功率放大器开发
机译:改善石墨烯-硅-场效应晶体管的漏极电流饱和度和电压增益
机译:细硅MOS晶体管的性能改善与漏电流降低的研究。
机译:改善锗合金功率晶体管的生产工艺措施
机译:具有用于功率晶体管的控制电路的功率晶体管电路装置,其具有电流源装置,该电流源装置提供的电流取决于提供给功率晶体管的电势的变化
机译:测量发射极直流电流放大系数对晶体管直流集电极电流变化率的方法
机译:发射极接地电流与晶体管直接集电极电流放大系数变化率的测量方法
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