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GaN体单晶生长技术研究现状

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摘要

回顾了GaN体单晶材料的发展历程并介绍了研究现状。主要讨论了HVPE法和气相传输法等气相生长方法,以及HNPSG、助溶荆法、氨热法、提拉法等熔体生长方法。针对每种生长方法,阐述了其生长原理、特点及研究现状。

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来源
《半导体技术》 |2007年第2期|101-105|共5页
作者
徐永宽;
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作者单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.054;
关键词
氮化镓; 体单晶; 生长方法; 气相外延; 升华法; 助溶剂法; 氨热法;

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