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Na基助熔剂法生长GaN体单晶的研究

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摘要

宽禁带GaN半导体器件以其优异的电学和光学特性,已成为目前半导体领域中的研究热点.以GaN单晶基片作为衬底进行GaN的同质外延生长,是实现高压,高频,高温GaN半导体器件优异性能的关键.制备基片的高质量大尺寸GaN体单晶生长是世界晶体生长技术领域中的挑战.与其他GaN体单晶生长方法相比,采用Na助熔剂法生长GaN晶体的温度和压力条件一般为600-900℃,＜10MPa(N2),生长条件相对温和且成本相对较低.本论文采用自行研制的高氮压助熔剂法GaN晶体生长设备,研究了Na基助熔剂、温度条件、压力条件对GaN晶体生长的影响,获得了最大尺寸为6.5mm的黑色六方锥型和1.5mm的透明六方柱型GaN体单晶.探讨了生长速率对单晶形貌的影响.

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来源
《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》|2015年|23|共1页
会议地点苏州
作者
李振荣; 吴熙; 郝航飞; 徐卓; 范世骥;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23:TN304.054;
关键词
氮化镓; 单晶生长; 高氮压助熔剂法; 形貌特征; 生长速率;

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