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极低位错密度氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法

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本发明公开了一种助熔剂法生长极低位错密度氮化镓单晶的方法，包括：于氮化镓衬底上设置图形化掩膜；以所述氮化镓衬底作为籽晶，利用液相外延方法生长获得低位错密度氮化镓单晶；对所述低位错密度氮化镓单晶进行位错选择腐蚀，并对腐蚀区域进行填埋处理，获得包含有填埋物的氮化镓单晶，再以包含有填埋物的氮化镓单晶作为籽晶，利用液相外延方法生长获得极低位错密度氮化镓单晶。较之现有技术，本发明可以基于助熔剂法液相外延生长工艺，利用两步法获得极低位错密度氮化镓单晶，工艺简单易操作，成本低廉，可以实现极低位错密度氮化镓单晶的大规模生产。

著录项

公开/公告号CN110230102B

专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-04

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
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申请/专利号CN201810179912.8
发明设计人刘宗亮;徐科;任国强;王建峰;
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申请日2018-03-05
分类号H01L21/205(20060101);C30B29/40(20060101);C30B9/12(20060101);
代理机构32256 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人王锋
地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
入库时间 2022-08-23 12:54:13

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