SOI MOSFET抗辐射加固的常用方法与新结构

何玉娟; 刘洁; 恩云飞; 罗宏伟; 师谦

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SOI MOSFET抗辐射加固的常用方法与新结构

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SOI CMOS技术存在许多优势,但由于存在厚的埋氧层,其总剂量效应反而比体Si器件更差,因此需进行总剂量抗辐射加固设计。对几种SOI MOSFET的栅氧、埋氧和场氧总剂量抗辐射加固的方法进行了对比较分析,指出了各自的优劣势,给出了研究方向。并对FLEXFET和G4-FET三维SOI器件抗辐射加固新结构进行了阐述,分析了其优越性。

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来源
《半导体技术》 |2008年第3期|223-226|共4页
作者
何玉娟; 刘洁; 恩云飞; 罗宏伟; 师谦;
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作者单位

电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
SOI; 总剂量效应; FLEXFET; G^4-FET;

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