130 nm加固SOI工艺的抗辐射控制芯片设计

常永伟; 余超; 刘海静; 王正; 董业民

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130 nm加固SOI工艺的抗辐射控制芯片设计

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针对航天电子系统控制模块对集成电路的抗辐射需求,在130 nm部分耗尽绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator,SOI)工艺平台上设计了一款基于比例、积分、微分控制算法的控制芯片,并分别从晶圆材料、制备工艺、版图设计的角度对芯片进行了总剂量辐射加固.流片测试结果表明,芯片的调节精度达到了5×10-12,与进口抗辐射现场可编程门阵列水平相当;在长时间频率稳定度方面,芯片优于国外抗辐射现场可编程门阵列.对芯片进行的模拟辐照试验表明,芯片在300 krad(Si)的总剂量辐照条件下依然可以正常工作.

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来源
《国防科技大学学报》 |2020年第3期|17-21|共5页
作者
常永伟; 余超; 刘海静; 王正; 董业民;
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作者单位

中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050;

中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050;

中国科学院大学北京 100049;

中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050;

中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050;

中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050;

中国科学院大学北京 100049;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类专用集成电路;
关键词
集成电路; 抗辐射; 绝缘体上硅; 控制芯片;

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