共振隧穿二极管I-V特性变温模型的建立

张莉莉; 张世林; 郭维廉; 毛陆虹; 王伊钿; 管坤

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共振隧穿二极管I-V特性变温模型的建立

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首先采用基于物理参数的I-V方程RTD模型，利用Matlab软件对300K下的共振隧穿二极管（RTD）I-V特性数据拟合，建立一定温度下的物理参数I-V方程RTD模型。然后在此基础上，针对150～350K温度范围内RTD I-V特性数据，利用Matlab软件拟合得到不同温度下的拟合参数，通过分析拟合参数与温度的关系，初步建立了RTD的I-V特性变温模型。

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来源
《固体电子学研究与进展》 |2013年第6期|522-527|共6页
作者
张莉莉; 张世林; 郭维廉; 毛陆虹; 王伊钿; 管坤;
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作者单位

天津大学电子信息工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微波半导体器件;
关键词
共振隧穿二极管; I-V方程; 拟合参数; 变温模型;

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