为合适的遂穿失谐,Δ是代表态之间的能级间隔;S3:利用双量子阱结构的极化率确定吸收谱,吸收谱A=c*Im(χ(1)),其中c为常系数,Im(χ(1))为取χ(1)的虚部;S4:将吸收谱的非对称性与隧穿特性的变化关系进行数值拟合,得到双量子阱结构的隧穿特性的大小与吸收谱的非对称性成反比。本发明能够实现隧穿特性的精密测量,提供测量精确度。"/>
机译: 非对称双量子阱中基于区间转移的子带间电光调制器
机译: 基于双势垒隧穿结谐振隧穿效应的晶体管
机译: 基于带电荷非对称共振隧穿的两阱系统的aN LED