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Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International
Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International
召开年:
1999
召开地:
Washington, DC
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Mid-IR type-II interband cascade lasers based on InAs/GaInSb heterostructures
机译:
基于InAs / GaInSb异质结构的中红外II型带间级联激光器
作者:
Bradshaw
;
J.L.
;
Bruno
;
J.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
2.
Coulomb oscillations in 100 nm and 50 nm CMOS devices
机译:
100 nm和50 nm CMOS器件中的库仑振荡
作者:
Specht M.
;
Sanquer M.
;
Caillat C.
;
Guegan G.
;
Deleonibus S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
3.
Electrical properties of submicron (/spl ges/0.13 /spl mu/m/sup 2/) Ir/PZT/Ir capacitors formed on W plugs
机译:
W插头上形成的亚微米(/ spl ges / 0.13 / spl mu / m / sup 2 /)Ir / PZT / Ir电容器的电性能
作者:
Moise
;
T.S.
;
Summerfelt
;
S.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
4.
High Al-content AlGaN/GaN HEMTs on SiC substrates with very high power performance
机译:
SiC衬底上的高Al含量AlGaN / GaN HEMT,具有非常高的功率性能
作者:
Wu
;
Y.-F.
;
Kapolnek
;
D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
5.
High performance strained-Si p-MOSFETs on SiGe-on-insulator substrates fabricated by SIMOX technology
机译:
通过SIMOX技术在绝缘体上GeGe衬底上的高性能应变Si p-MOSFET
作者:
Mizuno
;
T.
;
Takagi
;
S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
6.
Molecular-scale rectifying diodes based on Y-junction carbon nanotubes
机译:
基于Y结碳纳米管的分子级整流二极管
作者:
Vedeneev
;
A.S.
;
Li
;
J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
7.
0.1-/spl mu/m CMOS technology for high-speed logic and system LSIs with SiO/SiN/poly-Si/W gate-system
机译:
采用SiO / SiN / poly-Si / W栅极系统的0.1- / spl mu / m CMOS技术,用于高速逻辑和系统LSI
作者:
Onai
;
T.
;
Tsujikawa
;
S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
8.
A Direct Tunneling Memory (DTM) utilizing novel floating gate structure
机译:
利用新型浮栅结构的直接隧道存储器(DTM)
作者:
Horiguchi
;
N.
;
Usuki
;
T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
9.
Patterned 1.54 /spl mu/m vertical cavity laser with mismatched defect-free mirrors
机译:
带有失配的无缺陷反射镜的图案化1.54 / splμ/μm垂直腔激光器
作者:
Qasaimeh
;
O.
;
Gebretsadik
;
H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
10.
Ultra-low contact resistance for deca-nm MOSFETs by laser annealing
机译:
通过激光退火实现十纳米MOSFET的超低接触电阻
作者:
Goto K.
;
Yamamoto T.
;
Kubo T.
;
Kase M.
;
Yun Wang
;
Tengshing Lin
;
Talwar S.
;
Sugii T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
11.
Ultra-thin body SOI MOSFET for deep-sub-tenth micron era
机译:
适用于亚十分之一微米以下的超薄体SOI MOSFET
作者:
Yang-Kyu Choi
;
Asano K.
;
Lindert N.
;
Subramanian V.
;
Tsu-Jae King
;
Bokor J.
;
Chenming Hu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
12.
Very high performance 50 nm CMOS at low temperature
机译:
低温下具有非常高性能的50 nm CMOS
作者:
Wind S.J.
;
Shi L.
;
Lee K.-L.
;
Roy R.A.
;
Zhang Y.
;
Sikorski E.
;
Kozlowski P.
;
Demic C.
;
Bucchignano J.J.
;
Wann H.-J.
;
Viswanathan R.G.
;
Cai J.
;
Taur Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
13.
Consumer electronics as silicon engine
机译:
消费电子产品作为硅引擎
作者:
Kramer R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
14.
Sorting of biontolecules via microdevices
机译:
通过微设备对生物分子进行分类
作者:
Chia-Fu Chou
;
Austin R.H.
;
Bakajin O.
;
Castelino J.A.
;
Chan S.S.
;
Cox E.C.
;
Craighead H.
;
Darton N.
;
Duke T.
;
Jongyoon Han
;
Tegenfeldt J.O.
;
Turner S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
15.
SoC solutions and technologies for digital hypermedia platform
机译:
用于数字超媒体平台的SoC解决方案和技术
作者:
Kohyama S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
16.
Dopant redistribution in SOI during RTA: a study on doping in scaled-down Si layers
机译:
RTA期间SOI中的掺杂物重新分布:按比例缩小的Si层中的掺杂研究
作者:
Heemyong Park
;
Jones
;
E.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
17.
Full-0.56 /spl mu/m pitch copper interconnects for a high performance 0.15-/spl mu/m CMOS logic device
机译:
全0.56 / spl mu / m间距铜互连,用于高性能0.15- / spl mu / m CMOS逻辑器件
作者:
Iguchi
;
M.
;
Takewaki
;
T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
18.
Improved ultraviolet quantum efficiency using a transparent recessed window AlGaN/GaN heterojunction p-i-n photodiode
机译:
使用透明凹窗AlGaN / GaN异质结p-i-n光电二极管提高了紫外线量子效率
作者:
Carrarro
;
J.C.
;
Li
;
T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
19.
Integration and design issues in combining very-high-speed silicon-germanium bipolar transistors and ULSI CMOS for system-on-a-chip applications
机译:
结合超高速硅锗双极晶体管和ULSI CMOS用于片上系统应用的集成和设计问题
作者:
Subbanna
;
S.
;
Freeman
;
G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
20.
Integration of high-Q inductors in a latch-up resistant CMOS technology
机译:
高Q电感器集成在抗闩锁CMOS技术中
作者:
Frei
;
M.R.
;
Belk
;
N.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
21.
Line inductance extraction and modeling in a real chip with power grid
机译:
带电网的真实芯片中的线电感提取和建模
作者:
Kleveland
;
B.
;
Xiaoning Qi
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
22.
Low voltage tunneling in ultra-thin oxides: a monitor for interface states and degradation
机译:
超薄氧化物中的低压隧穿:界面状态和降解的监测器
作者:
Ghetti
;
A.
;
Sangiorgi
;
E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
23.
Modular integration of high-performance SiGe:C HBTs in a deep submicron, epi-free CMOS process
机译:
在深亚微米,无Epi的CMOS工艺中模块化集成高性能SiGe:C HBT
作者:
Ehwald
;
K.E.
;
Knolll
;
D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
24.
Monte Carlo simulation of quantum yields exceeding unity as a probe of high-energy hole scattering rates in Si
机译:
量子产率超过1的蒙特卡罗模拟作为Si中高能空穴散射率的探针
作者:
Kamakura
;
Y.
;
Kawashima
;
I.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
25.
MOSFETs with 9 to 13 A thick gate oxides
机译:
具有9至13 A厚栅极氧化物的MOSFET
作者:
Krishnan M.S.
;
Cheng L.
;
Tsu-Jae King
;
Bokor J.
;
Chenming Hu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
26.
69 GHz frequency divider with a cantilevered base InP DHBT
机译:
具有悬臂基础InP DHBT的69 GHz分频器
作者:
Gutierrez-Aitken A.
;
Kaneshiro E.
;
Tang B.
;
Notthoff J.
;
Chin P.
;
Streit D.
;
Oki A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
27.
A 0.13 /spl mu/m CMOS technology integrating high-speed and low-power/high-density devices with two different well/channel structures
机译:
0.13 / spl mu / m CMOS技术,结合了具有两种不同阱/通道结构的高速和低功耗/高密度器件
作者:
Imai
;
K.
;
Yamaguchi
;
K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
28.
A 0.16 /spl mu/m modular BiCMOS (COM2-BiCMOS) technology for RF communication ICs
机译:
用于RF通信IC的0.16 / spl mu / m模块化BiCMOS(COM2-BiCMOS)技术
作者:
Carroll
;
M.S.
;
Ivanov
;
T.G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
29.
A 0.18 /spl mu/m 90 GHz f/sub T/ SiGe HBT BiCMOS, ASIC-compatible, copper interconnect technology for RF and microwave applications
机译:
0.18 / spl mu / m 90 GHz f / sub T / SiGe HBT BiCMOS,ASIC兼容,铜互连技术,用于RF和微波应用
作者:
Freeman
;
G.
;
Ahlgren
;
D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
30.
A 0.2-/spl mu/m self-aligned SiGe HBT featuring 107-GHz f/sub max/ and 6.7-ps ECL
机译:
0.2 / splμm/ m自对准SiGe HBT,具有107GHz f / sub max /和6.7ps ECL
作者:
Washio
;
K.
;
Kondo
;
M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
31.
A 1.2V, sub-0.09 /spl mu/m gate length CMOS technology
机译:
1.2V,低于0.09 / spl mu / m的栅极长度CMOS技术
作者:
Mehrotra
;
M.
;
Hu
;
J.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
32.
A 25 GHz InGaAs/InAlAs-InP HBT power MMIC with 48 power added efficiency
机译:
25 GHz InGaAs / InAlAs-InP HBT功率MMIC,功率附加效率为48%
作者:
Kobayashi
;
K.W.
;
Li Yang
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
33.
A comprehensive MOSFET mismatch model
机译:
全面的MOSFET不匹配模型
作者:
Drennan P.G.
;
McAndrew C.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
34.
A consistent model for time dependent dielectric breakdown in ultrathin silicon dioxides
机译:
超薄二氧化硅中随时间变化的介电击穿的一致模型
作者:
Okada
;
K.
;
Yoneda
;
K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
35.
A DC-3 GHz cryogenic AlGaAs/GaAs HBT low noise MMIC amplifier with 0.15 dB noise figure
机译:
具有0.15 dB噪声系数的DC-3 GHz低温AlGaAs / GaAs HBT低噪声MMIC放大器
作者:
Kobayashi
;
K.W.
;
Fernandez
;
J.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
36.
A directional current switch using silicon single electron transistors controlled by charge injection into silicon nano-crystal floating dots
机译:
一种方向性电流开关,使用通过电荷注入到硅纳米晶体浮点中的硅单电子晶体管控制
作者:
Takahashi
;
N.
;
Ishikuro
;
H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
37.
A fast and accurate computation of interconnect capacitance
机译:
快速准确地计算互连电容
作者:
Putot S.
;
Charlet F.
;
Witomski P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
38.
A high density high performance 180 nm generation Etox/sup TM/ flash memory technology
机译:
高密度高性能180 nm一代Etox / sup TM /闪存技术
作者:
Fazio
;
A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
39.
A high speed CMOS imager acquiring 5000 frames/sec
机译:
高速CMOS成像器,每秒可获取5000帧
作者:
Lauxtermann S.
;
Schwider P.
;
Seitz P.
;
Bloss H.
;
Ernst J.
;
Firla H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
40.
A highly manufacturable 0.18 /spl mu/m generation logic technology
机译:
高度可制造的0.18 / spl mu / m生成逻辑技术
作者:
Ikeda
;
S.
;
Yoshida
;
Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
41.
A high-performance 0.18-/spl mu/m merged DRAM/Logic technology featuring 0.45-/spl mu/m/sup 2/ stacked capacitor cell
机译:
高性能0.18- / spl mu / m合并DRAM /逻辑技术,具有0.45- / spl mu / m / sup 2 /堆叠电容器单元
作者:
Hamada
;
M.
;
Inoue
;
K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
42.
A hydrogen barrier interlayer dielectric with a SiO/sub 2//SiON/SiO/sub 2/ stacked film for logic-embedded FeRAMs
机译:
具有用于逻辑嵌入式FeRAM的SiO / sub 2 // SiON / SiO / sub 2 /堆叠膜的氢阻挡层间电介质
作者:
Nakura
;
T.
;
Mori
;
H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
43.
A large signal non-quasi-static MOS model for RF circuit simulation
机译:
用于射频电路仿真的大信号非准静态MOS模型
作者:
Scholten A.J.
;
Tiemeijer L.F.
;
De Vreede P.W.H.
;
Klaassen D.B.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
44.
A low dark current double membrane poly-Si FT-technology for 2/3 inch 6M pixel CCD imagers
机译:
用于2/3英寸6M像素CCD成像器的低暗电流双膜多晶硅FT技术
作者:
Peek
;
H.L.
;
Verbugt
;
W.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
45.
A low-distortion and high-efficiency E-mode GaAs power FET based on a new method to improve device linearity focused on g/sub m/ value
机译:
基于改善器件线性度的新方法的低失真高效E型GaAs功率FET,专注于g / sub m /值
作者:
Nakasha
;
Y.
;
Nagahara
;
M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
46.
A low-voltage rotary actuator fabricated using a five-level polysilicon surface micromachining technology
机译:
使用五级多晶硅表面微加工技术制造的低压旋转致动器
作者:
Krygowski
;
T.W.
;
Rodgers
;
M.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
47.
A manufacturable multiple gate oxynitride thickness technology for system on a chip
机译:
用于芯片上系统的可制造的多栅极氮氧化物厚度技术
作者:
Lee
;
C.H.
;
Luan
;
H.F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
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1999年
48.
A micro-electro-mechanically (MEM) switched microstrip ring resonator
机译:
微机电(MEM)开关微带环形谐振器
作者:
Choudhury
;
D.
;
Foschaar
;
J.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
49.
A new sensor structure and fabrication process for a single-chip fingerprint sensor/identifier LSI
机译:
单芯片指纹传感器/识别器LSI的新传感器结构和制造工艺
作者:
Machida
;
K.
;
Shigematsu
;
S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
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1999年
50.
A new SOI MOSFET structure with junction type body contact
机译:
具有结型体接触的新型SOI MOSFET结构
作者:
In-Young Chung
;
Dong Soo Woo
;
Young June Park
;
Hong Shick Min
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
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1999年
51.
A new substrate engineering for the formation of empty space in silicon (ESS) induced by silicon surface migration
机译:
一种新的基板工程,用于由硅表面迁移引起的硅中空洞(ESS)的形成
作者:
Sato
;
T.
;
Aoki
;
N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
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1999年
52.
A novel approach to simulate the effect of optical proximity on MOSFET parametric yield
机译:
一种模拟光学接近度对MOSFET参数合格率影响的新颖方法
作者:
Balasinski
;
A.
;
Gangala
;
H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
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1999年
53.
A novel atomic layer doping technology for ultra-shallow junction in sub-0.1 /spl mu/m MOSFETs
机译:
低于0.1 / spl mu / m MOSFET的超浅结新型原子层掺杂技术
作者:
Song
;
Y.H.
;
Kim
;
K.Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
54.
A novel cell-STP (storage node through plate node) cell-technology for multigigabit-scale DRAM and logic-embedded DRAM generations
机译:
一种适用于几千兆位级DRAM和逻辑嵌入式DRAM代的新颖Cell-STP(存储节点到平板节点)存储技术
作者:
Uh
;
H.S.
;
Song
;
S.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
55.
A novel gate-offset NAND cell (GOC-NAND) technology suitable for high-density and low-voltage-operation flash memories
机译:
一种适用于高密度和低电压操作闪存的新型栅极偏移NAND单元(GOC-NAND)技术
作者:
Satoh
;
S.
;
Nakamura
;
T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
56.
A novel hot carrier mechanism: band-to-band tunneling hole induced bipolar hot electron (BBHBHE)
机译:
一种新颖的热载流子机制:带间隧穿空穴感应双极热电子(BBHBHE)
作者:
Lin
;
F.R.-L.
;
Cheng-Hao Poe
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
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1999年
57.
A novel thyristor-based SRAM cell (T-RAM) for high-speed, low-voltage, giga-scale memories
机译:
一种基于晶闸管的新型SRAM单元(T-RAM),用于高速,低压,千兆位存储器
作者:
Nemati
;
F.
;
Plummer
;
J.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
58.
A novel trench DRAM cell with a vertical access transistor and buried strap (VERI BEST) for 4 Gb/16 Gb
机译:
一种新颖的沟槽式DRAM单元,具有垂直访问晶体管和埋入式表带(VERI BEST),适用于4 Gb / 16 Gb
作者:
Gruening
;
U.
;
Radens
;
C.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
59.
A novel W/TiNx metal gate CMOS technology using nitrogen-concentration-controlled TiNx film
机译:
使用氮浓度控制的TiNx膜的新型W / TiNx金属栅CMOS技术
作者:
Wakabayashi
;
H.
;
Saito
;
Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
60.
A physics-based, unified gate-oxide breakdown model
机译:
基于物理的统一栅氧化层击穿模型
作者:
Cheung K.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
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1999年
61.
A Spice-compatible flash EEPROM model feasible for transient and program/erase cycling endurance simulation
机译:
兼容Spice的闪存EEPROM模型可用于瞬态和编程/擦除循环耐久性仿真
作者:
Chung
;
S.S.
;
Yih
;
C.-M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
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1999年
62.
A two-dimensional low pass filter model for die-level topography variation resulting from chemical mechanical polishing of ILD films
机译:
二维低通滤波器模型,用于ILD膜化学机械抛光导致的芯片级形貌变化
作者:
Tat-Kwan Yu
;
Chheda
;
S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
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1999年
63.
Predictive BSIM3v3 modeling for the 0.15-0.18 /spl mu/m CMOS technology node: a process DOE based approach
机译:
适用于0.15-0.18 / spl mu / m CMOS技术节点的预测BSIM3v3建模:基于过程DOE的方法
作者:
Vasanth
;
K.
;
Krick
;
J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
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1999年
64.
RF potential of a 0.18-/spl mu/m CMOS logic technology
机译:
0.18- / spl mu / m CMOS逻辑技术的RF电位
作者:
Burghartz
;
J.N.
;
Hargrove
;
M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
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1999年
65.
'System on a chip' technology platform for 0.18 /spl mu/m digital, mixed signal and eDRAM applications
机译:
适用于0.18 / spl mu / m数字,混合信号和eDRAM应用的“片上系统”技术平台
作者:
Mahnkopf
;
R.
;
Allers
;
K.-H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
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1999年
66.
The Vertical Replacement-Gate (VRG) MOSFET: a 50-nm vertical MOSFET with lithography-independent gate length
机译:
垂直替换栅极(VRG)MOSFET:50纳米垂直MOSFET,具有与光刻无关的栅极长度
作者:
Hergenrother
;
J.M.
;
Monroe
;
D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
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1999年
67.
Two-dimensional nozzle arrangement in a monolithic inkjet printhead for high-resolution and high-speed printing
机译:
整体式喷墨打印头中的二维喷嘴布置,用于高分辨率和高速打印
作者:
Jae-Duk Lee
;
Choon-Sup Lee
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
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1999年
68.
Ultra low capacitance measurements in multilevel metallisation CMOS by using a built-in electron-meter
机译:
使用内置电子计在多级金属化CMOS中进行超低电容测量
作者:
Froment
;
B.
;
Paillardet
;
F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
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1999年
69.
Very low cost graded SiGe base bipolar transistors for a high performance modular BiCMOS process
机译:
用于高性能模块化BiCMOS工艺的极低成本渐变SiGe基极双极晶体管
作者:
King
;
C.A.
;
Frei
;
M.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
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1999年
70.
Zirconium oxide based gate dielectrics with equivalent oxide thickness of less than 1.0 nm and performance of submicron MOSFET using a nitride gate replacement process
机译:
氧化锆基栅极电介质的等效氧化物厚度小于1.0 nm,并具有使用氮化物栅极替代工艺的亚微米MOSFET的性能
作者:
Yanjun Ma
;
Yoshi Ono
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
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1999年
71.
An 80 nm dual-gate CMOS with shallow extensions formed after activation annealing and SALICIDE
机译:
在激活退火和SALICIDE之后形成具有浅扩展层的80 nm双栅CMOS
作者:
Morifuji
;
E.
;
Ohishi
;
A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
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1999年
72.
An anode hole injection percolation model for oxide breakdown-the 'doom's day' scenario revisited
机译:
用于氧化物击穿的阳极空穴注入渗流模型-“世界末日”情景的重新审视
作者:
Alam
;
M.A.
;
Bude
;
J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
73.
An embedded 0.405 /spl mu/m/sup 2/ stacked DRAM technology integrated with high-performance 0.2 /spl mu/m CMOS logic and 6-level metalization
机译:
嵌入式0.405 / spl mu / m / sup 2 /堆叠DRAM技术与高性能0.2 / spl mu / m CMOS逻辑和6级金属化集成
作者:
Yoshida
;
M.
;
Asaka
;
K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
74.
An in-line contact and via hole inspection method using electron beam compensation current
机译:
使用电子束补偿电流的在线接触和通孔检查方法
作者:
Yamada
;
K.
;
Nakamura
;
T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
75.
Analysis and control of hysteresis in PD/SOI CMOS
机译:
PD / SOI CMOS中的磁滞分析与控制
作者:
Pelella M.M.
;
Fossum J.G.
;
Chiang M.-H.
;
Workman G.O.
;
Tretz C.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
76.
Analysis of high voltage TDDB measurements on Ta/sub 2/O/sub 5//SiO/sub 2/ stack
机译:
Ta / sub 2 / O / sub 5 // SiO / sub 2 /堆叠上的高压TDDB测量分析
作者:
Degraeve
;
R.
;
Kaczer
;
B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
77.
Analysis of SRAM bit failure at high frequency operation
机译:
高频操作下的SRAM位故障分析
作者:
Yoshida Y.
;
Funayama K.
;
Nishida A.
;
Sekiguchi T.
;
Nakamura K.
;
Tomimatsu S.
;
Umemura K.
;
Yamanaka T.
;
Komori K.
;
Mitsui Y.
;
Ikeda S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
78.
Analysis of trap-assisted conduction mechanisms through silicon dioxide films using quantum yield
机译:
利用量子产率分析二氧化硅薄膜中的陷阱辅助传导机制
作者:
Ghetti
;
A.
;
Alam
;
M.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
79.
Analysis of tunneling currents and reliability of NMOSFETs with sub-2 nm gate oxides
机译:
低于2 nm栅极氧化物的NMOSFET的隧穿电流和可靠性分析
作者:
Yang
;
N.
;
Henson
;
W.K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
80.
Anomalous diffusion of dopant in Si substrate during oxynitride process
机译:
氧氮化过程中掺杂剂在硅衬底中的异常扩散
作者:
Yaegashi
;
T.
;
Aoki
;
N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
81.
Channel hot-electron and hot-hole improvement in Al and Cu multilevel metal CMOS using deuterated anneals and passivating films
机译:
使用氘化退火和钝化膜改善Al和Cu多层金属CMOS中的通道热电子和热孔
作者:
Clark
;
W.F.
;
Cottrell
;
P.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
82.
Characterization of crosstalk-induced noise for 0.18 /spl mu/m CMOS technology with 6-level metallization using time domain reflectometry and S-parameters
机译:
使用时域反射仪和S参数表征具有6级金属化的0.18 / splμm/ m CMOS技术的串扰引起的噪声
作者:
Hi-Deok Lee
;
Myoung-Jun Jang
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
83.
Chip-level performance improvement using triple damascene wiring design concept for 0.13 /spl mu/m CMOS devices
机译:
使用三层大马士革布线设计概念针对0.13 / spl mu / m CMOS器件提高芯片级性能
作者:
Oda
;
N.
;
Matsumoto
;
A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
84.
CMOS device technology toward 50 nm region-performance and drain architecture
机译:
面向50 nm区域的CMOS器件技术-性能和漏极架构
作者:
Hori
;
A.
;
Mizuno
;
B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
85.
Compact and accurate quantum correction for MOS device simulator
机译:
MOS器件模拟器的紧凑而精确的量子校正
作者:
Usuki T.
;
Tanaka T.
;
Ohkubo S.
;
Momiyama Y.
;
Futatsugi T.
;
Sugii T.
会议名称:
《》
|
1999年
86.
Copper dual damascene interconnects with low-K (K/sub eff/>3.0) dielectrics using FLARE/sup TM/ and an organo-silicate hard mask
机译:
使用FLARE / sup TM /和有机硅酸盐硬掩模,铜双镶嵌与低K(K / sub eff /> 3.0)电介质互连
作者:
Hasegawa
;
T.
;
Ikeda
;
K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
87.
CoSi/sub 2/ integrated fuses on poly silicon for low voltage 0.18 /spl mu/m CMOS applications
机译:
CoSi / sub 2 /多晶硅上的集成熔断器,适用于低压0.18 / splμ/ m CMOS应用
作者:
Kalnitsky
;
A.
;
Saadat
;
I.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
88.
Co-silicide formation on silicon FEAs from Co, Co/Ti and Ti/Co layers
机译:
由Co,Co / Ti和Ti / Co层在硅有限元分析中形成共硅化物
作者:
Byung Chang Shim
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
89.
Cu/poly-Si damascene gate structured MOSFET with Ta and TaN stacked barrier
机译:
具有Ta和TaN堆叠势垒的Cu / poly-Si镶嵌栅极结构MOSFET
作者:
Matsuki
;
T.
;
Kishimoto
;
K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
90.
Current and future development of high power MOS devices
机译:
大功率MOS器件的当前和未来发展
作者:
Ohashi H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
91.
Design and demonstration of new operation mode multi-emitter resonant tunneling hot electron transistors for one-transistor-SRAM-cell and peripheral logic circuitry
机译:
用于单晶体管SRAM单元和外围逻辑电路的新型工作模式多发射极谐振隧穿热电子晶体管的设计和演示
作者:
Takatsu
;
M.
;
Adachihara
;
T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
92.
Determination of stress in shallow trench isolation for deep submicron MOS devices by UV Raman spectroscopy
机译:
紫外拉曼光谱法测定深亚微米MOS器件浅沟槽隔离中的应力
作者:
Dombrowski
;
K.F.
;
Fischer
;
A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
93.
Development of Ru/Ta/sub 2/O/sub 5//Ru capacitor technology for giga-scale DRAMs
机译:
开发用于千兆级DRAM的Ru / Ta / sub 2 / O / sub 5 // Ru电容器技术
作者:
Jin-Won Kim
;
Sang-Don Nam
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
94.
Device issues in the integration of analog/RF functions in deep submicron digital CMOS
机译:
深亚微米数字CMOS中的模拟/ RF功能集成中的设备问题
作者:
Buss
;
D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
95.
Device reliability in analog CMOS applications
机译:
模拟CMOS应用中的设备可靠性
作者:
Thewes R.
;
Brederlow R.
;
Schlunder C.
;
Wieczorek P.
;
Hesener A.
;
Ankele B.
;
Klein P.
;
Kessel S.
;
Weber W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
96.
Direct tunneling current model for circuit simulation
机译:
直接隧道电流模型用于电路仿真
作者:
Chang-Hoon Choi
;
Kwang-Hoon Oh
;
Jung-Suk Goo
;
Zhiping Yu
;
Dutton R.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
97.
Dopant diffusion in C-doped Si and SiGe: physical model and experimental verification
机译:
碳掺杂硅和硅锗中的掺杂扩散:物理模型和实验验证
作者:
Rucker
;
H.
;
Heinemann
;
B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
98.
Effect of >100< channel direction for high performance SCE immune pMOSFET with less than 0.15 /spl mu/m gate length
机译:
> 100 <沟道方向对栅极长度小于0.15 / spl mu / m的高性能SCE免疫pMOSFET的影响
作者:
Sayama
;
H.
;
Nishida
;
Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
99.
Effects of plasma treatments, substrate types, and crystallization methods on performance and reliability of low temperature polysilicon TFTs
机译:
等离子体处理,衬底类型和结晶方法对低温多晶硅TFT性能和可靠性的影响
作者:
Lin
;
C.W.
;
Yang
;
M.Z.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
100.
Experimental examination of physical model for direct tunneling current in unstressed/stressed ultrathin gate oxides
机译:
无应力/超应力超薄栅极氧化物中直接隧穿电流物理模型的实验检验
作者:
Takagi
;
S.
;
Takayanagi
;
M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
|
1999年
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