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一种基于Fano共振效应的双阱间隧穿特性测量方法

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本发明公开了一种基于Fano共振效应的双阱间隧穿测量方法,具体步骤为：S1：调节外置偏压源，使双量子阱结构达到共振隧穿，在探测光的激发下，通过光电检测器探测吸收谱的双峰的间距，粗略确定隧穿特性的大小；S2：再次调节外置偏压源，找到双量子阱结构合适的隧穿失谐，再次通过光电检测器探测吸收谱的非对称性，为合适的遂穿失谐，Δ是代表态之间的能级间隔；S3：利用双量子阱结构的极化率确定吸收谱，吸收谱A＝c*Im(χ(1))，其中c为常系数，Im(χ(1))为取χ(1)的虚部；S4：将吸收谱的非对称性与隧穿特性的变化关系进行数值拟合，得到双量子阱结构的隧穿特性的大小与吸收谱的非对称性成反比。本发明能够实现隧穿特性的精密测量，提供测量精确度。

著录项

公开/公告号CN109164071A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-08

原文格式PDF
申请/专利权人山东科技大学;
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申请/专利号CN201811001217.9
发明设计人彭延东;李晨;汪金陵;杨艾红;张仲建;赵树材;周文鹏;
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申请日2018-08-30
分类号G01N21/63(20060101);G01N21/17(20060101);
代理机构37246 济南领升专利代理事务所(普通合伙);
代理人王吉勇;崔苗苗
地址 266590 山东省青岛市经济技术开发区前湾港路579号
入库时间 2024-02-19 06:45:23

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-02-01

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/63 申请日:20180830

实质审查的生效
2019-01-08

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