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俞重远; 刘玉敏; 任晓敏;
北京邮电大学理学院;
北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室;
应变减少层; 量子点; 电子结构;
机译:应变降低层对自组织InAs / GaAs量子点应变分布和光致发光波长红移的影响
机译:通过Gaassb,IngaAs和Ingaassb应变减少层纵向InAs / GaAs量子点的光学性质
机译:Ingaas应变减少层抑制Inas / gaas量子点垂直光致发光的偏振依赖性
机译:InGaAs作为应变减小层对分子束外延生长的InAs量子点的影响
机译:针对长波长红外探测器优化的InAs / GaInSb应变层超晶格的设计和演示。
机译:掺杂的自组装InAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs量子点中应变相关的光吸收的理论研究
机译:具有Gaassb应变减少的Inas量子点的电子结构 层:孔的局部化及其对光学性质的影响
机译:Gaas键合层在提高应变层InGaas / alGaas量子阱二极管激光器OmVpE生长和性能中的作用
机译:具有InGaAs压缩应变有源层,GaAsP拉伸应变阻挡层和InGaP光波导层的半导体激光器件
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