Eu^3+掺杂对Ba2Mg(BO3)2∶Eu^3+荧光粉基质晶格及发光性质的影响

熊晓波; 李江春

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Eu^3+掺杂对Ba2Mg(BO3)2∶Eu^3+荧光粉基质晶格及发光性质的影响

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系统研究了Ba2Mg(BO3)2∶Eu^3+荧光粉的高温固相法制备工艺条件,发现在900℃下保温3 h制得的样品的发光性能最好。研究了Eu^3+掺杂浓度对基质晶格环境和发光性质的影响,当Eu^3+浓度较低时,荧光粉在594 nm的发射峰强度最大,随着Eu^3+掺杂浓度的增加,Eu^3+偏离对称中心的程度越来越大,当Eu^3+浓度超过3at%时,荧光粉在613 nm的发射峰强度开始急剧增强,浓度达到3.5at%时,613 nm的发射开始占主导,这是由于晶体结构的扭曲程度导致晶格对称性发生了较大的改变,释放了更多禁戒的5D0→7F2电偶极跃迁。制备的橙色荧光粉可以被近紫外InGaN芯片有效激发,应用于白光LED。

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来源
《人工晶体学报》 |2020年第3期|452-456|共5页
作者
熊晓波; 李江春;
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作者单位

湖北警官学院;

法庭科学湖北省重点实验室;

武汉430034;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类发光学;
关键词
Ba2Mg(BO3)2∶Eu^3+; 荧光粉; 晶格; 发光性质;

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