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全耗尽SOIMOSFET及CMOS／SOI电路的研究

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采用ＳＩＭＯＸ材料，研制了一种全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ模拟开关电路。研究了全耗尽ＳＯＩＭＯＳ场效应晶体管的阈值电压与背栅偏置的依赖关系，对漏源击穿的Ｓｎａｐｂａｃｋ特性进行了分析。介绍了薄层ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ制作工艺，给出了全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的测试结果。

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来源
《微电子学》 |1996年第3期|143-145|共3页
作者
张正璠; 刘永光;
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作者单位

电子工业部第24研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN386.103;
关键词
半导体材料; 半导体器件; SOI; MOSFET; 模拟开关;

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