氨化Ga_2O_3/Mg薄膜制备簇状GaN纳米线

孙莉莉; 薛成山; 艾玉杰; 庄惠照; 王福学

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通过在1050°C时氨化Ga2O3/Mg薄膜制备出簇状GaN纳米线。用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收光谱(FTIR)扫描电子显微镜(SEM)和高分辨电子显微镜(HRTEM)对样品进行测试分析。结果表明,GaN纳米线为六万纤锌矿结构单晶相并且成族生长,直径在200～500nm米左右,其长度可达5～10μm。几乎所有纳米线的直径均有逐渐缩小的趋势。对Mg膜的作用进行了初步的分析。

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来源
《固体电子学研究与进展》 |2008年第2期|190-192|共3页
作者
孙莉莉; 薛成山; 艾玉杰; 庄惠照; 王福学;
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作者单位

山东师范大学半导体研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TB443;O447;
关键词
氮化镓; 磁控溅射; 纳米线;

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