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王红义; 王松林; 来新泉; 孙作治;
西安电子科技大学电路CAD研究所;
CMOS; 电压基准; 集成电路; 设计原理; 性能指标;
机译:1V以下CMOS基准电压发生器的设计
机译:采用28 nm CMOS技术的基于MOSFET的电压基准电路的设计方法
机译:5.9ppm /°C分段曲线校正的180nm CMOS工艺中的启动免费带隙基准电压源的设计
机译:斩波器缓冲的相互补偿的迁移率和阈值CMOS电压基准
机译:超低功率高温和辐射硬互补金属氧化物半导体(CMOS)绝缘体上硅(SOI)电压基准
机译:最小电源电压为0.8V的基于运算放大器的低功耗CMOS带隙基准电压源的设计与实现
机译:CmOs电压折叠电路的分析与设计及其在高速aDCs中的应用
机译:具有噪声消除功能的基准电压发生器和使用该基准电压发生器的CMOS图像传感器
机译:将浮动带隙基准电压转换为固定缓冲基准电压的设计技术
机译:利用CMOS工艺实现的使用垂直双极结型晶体管的电压基准电路和电流基准电路
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