源漏不对称的石墨烯场效应管特性研究

曾荣周; 李平; 廖永波; 张庆伟

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源漏不对称的石墨烯场效应管特性研究

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石墨烯场效应管(GFET)在栅极和源/漏电极之间存在的不对称的未被栅极覆盖的区域,会引起栅、源和栅、漏电极之间的串联电阻不相等,这将对GFET的性能会产生影响.首次测试了源漏不对称GFET在互换源、漏电极的情况下的输出特性、转移特性和跨导,并采用带源极负反馈电阻的共源极电路模型和石墨烯沟道总电阻计算公式,分析了源漏不对称对器件特性的影响机理.为研制GFET及其他的纳米结构材料晶体管提供了有益的参考.

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来源
《微电子学与计算机》 |2018年第2期|118-121|共4页
作者
曾荣周; 李平; 廖永波; 张庆伟;
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作者单位

电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
石墨烯场效应管; 源漏不对称; un-gated区域; 串联电阻;

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