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RF-MEMS谐振器的性能优化研究

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摘要

针对MEMS谐振器进行了电路的性能优化设计。设计了高增益谐振器接口电路,仿真表明,优化后谐振器的插入损耗由62dB减至0.51dB,提升了谐振器在通信中的应用潜力。

著录项

来源
《数字技术与应用》|2019年第6期|P.123-124|共2页
作者
代雪梅1; 张晓青1;
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作者单位

[1]北京信息科技大学仪器科学与光电工程学院北京100192;

[1]北京信息科技大学仪器科学与光电工程学院北京100192;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN1705;
关键词
RF-MEMS谐振器; 阻抗匹配网络; 低插损;
入库时间 2023-07-24 21:42:07

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