分子动力学模拟4H-SiC辐照下缺陷形成机理

何涛; 何红宇; 周媛; 朱卫华; 陈志勇; 王新林

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分子动力学模拟4H-SiC辐照下缺陷形成机理

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运用分子动力学模拟的方法,采用LAMMPS程序模拟了六方晶格结构的4H-SiC材料辐照下级联碰撞过程.先建立4H-SiC晶体结构模型,再模拟了不同能量的初始碰撞原子(PKA)级联碰撞产生点缺陷的演化.模拟结果表明,总的点缺陷包括空位缺陷、间隙原子和反位缺陷,并以空位缺陷和间隙原子为主,给出空位缺陷与间隙原子的空间分布图;级联碰撞产生的空位缺陷数量与PKA能量成线性关系;空位缺陷与间隙原子的空间分布,特别是空位缺陷与间隙原子聚集区域,与PKA能量有密切关系.上述结果为分析4H-SiC基材电子器件在辐照环境下电学性质变化提供理论基础.

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来源
《光电技术应用》 |2017年第5期|45-51|共7页
作者
何涛; 何红宇; 周媛; 朱卫华; 陈志勇; 王新林;
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作者单位

南华大学电气工程学院,湖南衡阳421001;

南华大学电气工程学院,湖南衡阳421001;

南华大学电气工程学院,湖南衡阳421001;

南华大学电气工程学院,湖南衡阳421001;

南华大学电气工程学院,湖南衡阳421001;

南华大学电气工程学院,湖南衡阳421001;

南华大学机械工程学院,湖南衡阳421001;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类杂质和缺陷;原子核物理实验;
关键词
4H-SiC; 分子动力学; 级联碰撞; 缺陷;

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