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一种减少4H-SiC中本征深能级缺陷的方法

摘要

本发明公开了一种减少4H-SiC中本征深能级缺陷的方法,可用于4H-SiC材料质量的改进和器件的应用。其具体过程是:(1)对4H-SiC衬底进行预处理,并在该4H-SiC衬底正面生长N-外延层;(2)在N-型外延层上淀积一层SiO2,作为碳离子注入的阻挡层;(3)在阻挡层表面上依次进行3次不同能量和剂量的碳离子注入;(4)对三次碳离子注入后的4H-SiC样片进行RCA清洗和烘干,并在氢气和硅烷的高温环境中退火,对注入的碳离子进行激活,完成对4H-SiC材料本征深能级缺陷的处理。实测表明,本发明能有效减少4H-SiC样片中的深能级缺陷,可用于4H-SiC材料质量的改进和器件性能的提升。

著录项

  • 公开/公告号CN101620990A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-01-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安电子科技大学;

    申请/专利号CN200910023359.X

  • 申请日2009-07-17

  • 分类号H01L21/02(20060101);C23C14/48(20060101);C23C14/06(20060101);C23C16/44(20060101);C23C16/40(20060101);C23C28/04(20060101);

  • 代理机构61205 陕西电子工业专利中心;

  • 代理人王品华;朱红星

  • 地址 710071 陕西省西安市太白路2号

  • 入库时间 2023-12-17 23:14:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-08-24

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/02 公开日:20100106 申请日:20090717

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2010-03-03

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2010-01-06

    公开

    公开

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