SiH4-NH3-N2体系LPCVD氮化硅薄膜的研究

刘学建; 黄智勇; 蒲锡鹏; 黄莉萍

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SiH4-NH3-N2体系LPCVD氮化硅薄膜的研究

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通过傅立叶红外光谱(FTIR)和X光电子能谱(XPS)研究了SiH4-NH3-N2体系在不同气体原料比情况下,低压化学气相沉积(LPCVD)SiNx薄膜的化学组成,利用原子力显微镜观察了SiNx薄膜的微观形貌,借助椭圆偏振仪研究了薄膜的折射率.结果表明:当原料气中氨气与硅烷的流量之比(R)较小时(R<2),获得富Si的SiNx薄膜(x<1.33),折射率较高.当氨气远远过量时(R >4),获得近化学计量的的SiNx薄膜(x = 1.33),折射率处于1.95～2.00之间.在适当的工艺条件下,获得的SiNx薄膜H、O含量很低,薄膜表面均匀、平整.

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来源
《电子元件与材料》 |2003年第7期|14-16|共3页
作者
刘学建; 黄智勇; 蒲锡鹏; 黄莉萍;
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作者单位

中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;

中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;

中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;

中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;

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正文语种 chi
中图分类薄膜技术;
关键词
低压化学气相沉积; 氮化硅薄膜; 化学组成; 折射率;

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