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顾鹏飞; 郭怀新; 沈国策; 韩潇;
南京电子器件研究所 江苏 南京 210016;
GaN功率器件; 热积累; 综述; 片内微流散热技术; 热管理; 热流密度;
机译:迄今为止,GaN(氮化镓)GaN功率器件的吸引力在于:GaN功率器件的潜力,器件的功能以及实现收益的专有技术
机译:高压SiC和GaN功率开关器件的研究进展
机译:GaN功率器件的研究进展与展望
机译:用于低功耗预算的MEMS谐振器的片内器件层热隔离
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:通过低频S参数测量和基于TCAD的物理器件仿真识别微波功率AlGaN / GaN HEMT中的GaN缓冲阱
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:用于成型的模具,模具制造方法,微粉机,微粉机制造方法,微流片和微流片制造方法
机译:模具,模具制造方法,微粉机,微粉机制造方法,微流片,微流片制造方法
机译:片上热管理技术,使用处理器间时间相关的功率密度数据来识别热侵害者
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