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李金平1; 王琨2;
[1]国防科工局协作配套中心,北京100081;
[2]中科院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083;
金刚石; 氮化镓; 微波器件; 高热导率;
机译:GaN基垂直器件的降解机理研究进展
机译:用于GaN基大功率晶体管器件的散热金刚石膜
机译:新型GaN基固态功率放大器,结果,进展和基于真空管的微波功率模块的比较
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:通过低频S参数测量和基于TCAD的物理器件仿真识别微波功率AlGaN / GaN HEMT中的GaN缓冲阱
机译:用于X波段应用的GaN基微波功率放大器的研制
机译:GaN基半导体发光器件,发光器件组件,发光器件,用于制造GaN基半导体发光器件的方法,用于GaN基半导体发光器件的驱动方法和图像显示装置
机译:门宽大的基于GAN的微波功率器件及其制造方法
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