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单片微波集成电路; 瑞萨科技公司; IEEE802.11a标准; IEEE802.1lb; 硅锗; 2.4GHz频段; 无线局域网标准; 放大器电路; 功率放大器; 双模;
机译:硅和硅锗单片微波集成电路的不平衡变换器研究
机译:带硅源和漏区的绝缘体上应变硅锗锗n沟道晶体管,以提高性能
机译:在盖硅/硅锗/硅(001)上进行硅化镍过程中外延硅锗层的应变弛豫和锗扩散
机译:高性能光学数据通信系统的硅锗硅单片光子集成平台
机译:开发用于单片微波集成电路的硅锗HBT和微机械无源元件。
机译:高性能平面硅上锗单光子雪崩二极管探测器
机译:用于片上光学互连应用的硅波导中的锗和锗/硅锗量子孔的选择性区域生长
机译:锗和锗硅合金离子注入和扩散光电探测器的特性
机译:制备硅锗层,包括在由单晶硅制成的具有表面的基板上沉积渐变的硅锗缓冲层,以及在硅锗缓冲层上沉积硅锗层。
机译:在硅层/硅锗层/硅层的层积结构中仅用离子注入法选择性地形成硅锗层的方法,而无需在顶层和底部层中形成图案,仅选择性地形成硅锗层
机译:高锗浓度形成硅锗应力的方法,该方法能够通过实施热扩散过程而由第二硅锗层形成硅锗应力
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